Samsung 60 nm Flaş bellek yongası geliştiren ilk firma olma yolunda

Yük başarımlı bellek üretimi konusundaki lider firmalardan biri olan Corsair 2 GB hafızaya sahip ve düşük gecikmeli olan iki yeni DDR2-800 bellek setini duyurdu. Başarım, görünüm ve işlevselliğe önem veren kullanıcılar için tasarlanmış TWIN2X2048-6400C4PRO ve Samsung 60 nm işleme tekniği ile 2 GB’lık NAND Flaş yongası ürettiğini söyledi. Samsung’a göre yeni yonga sadece 1 GB’lık birim hafızasını ikiye katlamakla kalmıyor daha fazla yazma hızlarını da beraberinde getiriyor. Firmanın şuanda piyasada olan ürünü 70 nm’lik OneNAND Flaş belleğinin yazma hızı 9.3 MB/s iken 60 nm sürümü 17 MB/s’ye erişiyor. Hatta ünlü firma sekiz 2 GB’lık bellek yongası uygun bir biçimde birleştirildiği takdirde 136 MB/s’a kadar veri yazma hızının mümkün olacağını iddia ediyor.



Samsung bu teknolojinin flaş hafıza kartlarının yanında Apple’ın Ipod’u gibi taşınabilir cihazlarda da kullanılabileceğini ve hatta melez sabit diskler için gerekli hızı sunacağını bildirdi. Daha önceki haberlerde gördüğünüz gibi Samsung Windows Vista’nın gereksinimlerinden biri haline gelecek olan melez sabit disklerin en büyük üreticilerinden biri olacak.


Bir cevap yazın