Samsung 40 nm DDR3 Bellek Yongaları Üretmeye başladı: 1.35 Voltta 1600 MHz




Üretim teknolojisi denen etmen geliştikçe yongaların kalıp boyutu küçülür, çektikleri güç azalır, bileşen sayısı çoğalır ve sonuçta hızlanırlar. Üretilen her yonga bu üretim sürecinden geçer. Buna RAM bellek yongaları da dahil. TechReport’un haberine göre Samsung 40 nm üretim sürecinden geçen 2 Gbit DDR3 bellek yongalarının seri üretimine geçmiş.



Bu yongalar hem masaüstü hem de dizüstü belleklerinin üretiminde kullanılabilecek ve tek bir bellek biriminin kapasitesi 4 GB’a çıkarılabilecek. Yani eğer bir Core i7 altyapısı kullanıyorsanız altı bellek birimiyle tam 24 GB kapasiteye erişmeniz mümkün olacak. Tabii ki anakartınızın bunu desteklemesi gerekiyor ama olsun üç kanal kitlerle 12 GB da size yeter herhalde. İşin asıl dikkat çekici yönü bu yongaların 1600 MHz gibi bir hıza yalnızca 1.35 V gerilimle erişebilmesi. JEDEC standartlarına göre bir DDR3 belleğin başlangıç gerilimi 1.5 V. Ayrıca bildiğiniz gibi Core i7 işlemcileri için 1.65 V sınırı var. Aradaki 0.30 V gerilimle 1600 MHz’den çok daha yüksek hızlara erişilebilir.



Samsung, 40 nm üretim teknolojisinin eski 50 nm üretim sürecine göre %60 daha verimli olduğunu vurguluyor. Şirket, 50 nm üretim sürecine geçen sene eylül ayında geçmişti.



iSuppli’nin tahminlerine bakılacak olursa DDR3 bellekler 2010 yılında neredeyse DDR2 bellekler kadar uygun fiyatlı olacak. Hatta 2012 yılında satılacak belleklerin %82’sinin DDR3 sınıfında olacağı öngörülüyor.



Haberi tartış…

Bir cevap yazın