Katı Durum Disklerini Yarım Terabaytın Ötesine Taşımak: 32 nm Flaş Üretildi

Flaş bellek üreticilerinin şu kriz döneminde fazla kurtuluş seçenekleri yok: Bazı bellek üreticileri üretim kapasitelerini düşürürken, pek azı araştırma/geliştirme çalışmalarına kesintisiz devam ediyor. Onlardan biri de ilk 32 nm flaş bellek yongasını ürettiğini duyuran Sandisk. Bu yeni gelişmeyle SSD kapasiteleri kolaylıkla 500 GB değerinin üstüne çıkarılabilecek.



ISSCC 2009 konferansında Sandik ve Toshiba daha yüksek kapasiteli flaş bellek aygıtlarını geliştirmeye ve üretim maliyetlerini düşürmeye yönelik çabalarının hızla devam ettiğini bildirdiler. Üretilen 32 nm yonganın başarımı şu anki 43 nm sürümlere hemen hemen denk. Yalnız daha küçük üretim teknolojisi sayesinde hücre başına 3-bit hedefi gerçeğe dönüşecek ve CompactFlash ve SDHC hafıza kartlarının kapasitesi 64 GB’a ve yüksek hızlı katı durum disklerinin kapasitesi ise 500 GB’a çıkarılabilecek.



Samsung ise böyle bir yonganın özellikle microSD hafıza kartları kullanan cep telefonları için çok yararlı olacağını çünkü kapasitenin 43 nm yongalara göre tam iki katına çıkarılabileceğini kaydetti.



SanDisk konferansta yeni bir 43 nm ürününü daha tanıttı: hücre başına 4-bit veri depolayabilen bellek yongası. Bu teknolojiye sahip bir yonganın toplam depolama kapasitesi ise tam 64 Gbit (8 GB). Böylece SSD üretim maliyetlerinin oldukça düşürülebileceği söyleniyor. Şirket tek bir yonganın veri yazma başarımının 7.8 MB/s olduğunu ifade ediyor. Yani, şu anki MLC tipi katı durum disklerine denk.



Haberi tartış…

Bir cevap yazın