Intel ve Micron 25 nm NAND Flaş Yongası Üretti

Bu “nm” haberleri çoğumuzun ilgilenmediği bilgiler içerir ancak yonga teknolojisi için son derece önemli bir etmendir. Üretim teknolojisi geliştikçe ve parçalar küçüldükçe daha fazla işlem kabiliyetine sahip yongalar üretilebilir. O yüzden daha iyi bir işlemci, ekran kartı, bellek, katı durum diski gibi temel PC bileşenlerini üretmek için üretim sürecinin sürekli olarak geliştirilmesi şarttır.

Intel ve Micron’un Silikon Vadisi’ndeki ortak fabrikası IMFT her 18 ayda bir flaş yongaların depolama kapasitelerini iki kat arttırmak için çalışıyor. 2006 yılında 50nm üretim süreciyle işe başlayan şirket, 2008’de 40nm üretim sürecine geçti. Bundan iki sene sonra, yani bugün resmen 25 nm NAND teknolojisine yükseldiğini duyurdu.

25 nm Flaş Yonga Plakası

25 nm Flaş Yonga Plakası

25 nm teknolojisi sayesinde belli bir kapasite seviyesine ulaşmak için gereken flaş yonga sayısı yarı yarıya azaltılabilecek. Ancak bize verilen bilgilere göre bu yongaların başarımı 34nm ürünler ile aynı şimdilik.

8 GB MLC NAND Flaş Yongası

8 GB MLC NAND Flaş Yongası

IMFT’nin ilk 25 nm ürünü bir 8 GB MLC yongası olacak. Yonganın kalıp yüzeyi 167 mm2 genişliğinde ve aynı boyuttaki bir 34 nm MLC yongasından iki kat daha yoğun. 25 nm ürünler ONFI 2.2 arayüzünü destekleyecek ve veri aktarım hızı ortalama 200 MB/s civarında. Bu yongaları taşıyacak ilk katı durum disklerinin 2010 yılının sonlarına doğru piyasaya çıkması planlanıyor.

Bir cevap yazın