Intel Ivy Bridge Mimarisinde Yeni Tri-Gate (3D) Transistör Teknolojisini Kullanacak

Intel, yüksek hacimli işlemci üretim teknolojisinde devrim yaratacak Tri-Gate (3D) transistör teknolojisini duyurdu.

Ivy Bridge 3D Transistör

Intel’in geliştirdiği yeni Tri-Gate (3D) transistör teknolojisi yongaların daha düşük voltajda ve daha az sızıntı ile çalışmasını sağlıyor.

Intel’den Mark Bohr  bu teknolojinin getirdiği avantajları şöyle açıklıyor;

Intel’e özel Tri-Gate teknolojisinin getirdiği performans katkısı ve enerji verimliliği daha önce görmediğimiz birşey. Yeni Tri-Gate teknolojisi Moore Yasası’nı devam ettirmekten çok daha fazla şey sunacak. Düşük güç ve düşük voltajın getirdiği kazançlar, şu ana kadar bir işlemci mimarisinden diğerine geçince gördüğümüz kazançlardan çok daha fazlasını sunacak. Bu teknoloji ürün geliştiricilerine çok daha akıllı ve çok daha farklı konseptler için imkan sağlayacak. Bu teknoloji ile Intel’in yarı üretken teknolojisinde liderliğini farklı alanlara doğru genişleteceğini düşünüyoruz.

Intel’e göre 22 nm Tri-Gate teknolojisi ile üretilen işlemciler 32 nm işlemcilere göre %37 performans artışının yanında yarıya yarıya düşük güç tüketimi avantajını getirecek.  Bu teknolojinin en önemli avantajı ve Tri-Gate olarak adlandırılmasının sebebi, klasik transistör teknolojisi yerine bir transistör etrafında üç kapı bulunması. Intel’göre göre bu sayede transistör akımını ve transistör açılıp/kapanma (on/off) hızını daha iyi kontrol edebilmek mümkün.

Intel, yeni Tri-Gate teknolojisini ilk olarak 22 nm Ivy Bridge mimarisinde kullanacağını açıkladı.

Ivy Bridge 3D Transistör

Ivy Bridge 3-D Tri-Gate Transistör

Intel Transistör Yol Haritası

kaynak: tcmagazine

Bir cevap yazın