Intel 45 nm Penryn CPU: Havalı Soğutmayla 4 GHz

Yeni Dielektrik Malzeme Kaçak Akımları En Aza İndiriyor

1960’dan beri tüm MOSFET transistörler silikon ve silikon dioksit kullanılarak üretiliyorlardı. Penryn işlemcilerinin çıkışı ve 45 nm üretim teknolojisine geçişle beraber Intel üretim sürecine başka bir malzeme katan ilk firma olacak.

Yeni Dielektrik Malzeme Kaçak Akımları En Aza İndiriyor

Intel her transistördeki iki katmana başka bir malzeme katmış. Şekilde gördüğünüz sarı katman transistörün kaynak (source) ve çeşme (drain) arasındaki anahtarlama oranını ayarlamaktan sorumlu ve bu katmanın yapım malzemesi olarak eskiden silikon oksit kullanılırken, şimdi bilimsel adı Hafnium (Hf) olan High-K dielektrik malzemesi kullanılıyor. Ayrıca silikon-kapı (gate) katmanı da (mavi renkli) metal bir malzemeyle yenilenmiş.

Geleneksel üretim süreciyle karşılaştırıldığında (65 nm) bu durum tam iki karakteristiği değiştiriyor:

  • Transistörlerin anahtarlama (switching) hızı %20 oranında arttı.
  • Yüksek ısı oluşumu nedeniyle meydana gelen (özellikle Pentium 4 Prescott’u hatırlarsak) kaçak akım 10 kat kadar azaltıldı.

Yeni Dielektrik Malzeme Kaçak Akımları En Aza İndiriyor

Ann Kelleher yeni malzemelerle üretilmiş transistörlerdeki anahtarlama (switching) davranışını...

Ann Kelleher yeni malzemelerle üretilmiş transistörlerdeki anahtarlama (switching) davranışını…

...yeni formüller yardımıyla gösterirken

…yeni formüller yardımıyla gösterirken

Yeni Penryn işlemcisinde transistörlerin her birinin anahtarlama süresi iyice kısaltılmış olduğundan anahtarlama hareketiyle daha temiz sinyaller elde edilmiş oluyor.

İşte böylece, bu iki yeni malzeme sayesinde Penryn işlemci olağanüstü bir hızaşırtma potansiyeline de sahip olmuş oluyor. Artık 4 GHz ve üstü eskisi kadar problem teşkil etmeyecek.

Bir cevap yazın