Infineon Silinmez-Bellek hücrelerini 20 nanometreye kadar küçülttü

San Francisco (CA) – Yarı iletken kuruluşu Infineon’daki bilim adamları dünyanın en küçük silinmez-bellek (flash) hücresini ürettiklerini açıkladılar. Yalnızca 20 nanometre (nm) olan hücrenin boyutu insan saçının kalınlığının tam 5000’de biri.



16 yıl önce çıktığından beri silinmez (flash) bellekler popülerliklerini günümüze kadar artırmayı sürdürüyor, çünkü yalnızca taşınabilir ses çalıcı ve sayısal kameraların artışı değil, USB çubuk bellekler de kullanmak için de son derece uygunlar. Teknoloji şu anda 170-90 nm üretim süreci kullanıyor, ama aynı zamanda geliştirme aşamasında olan MRAM adlı başka bir silinmez bellek teknolojisinin tehdidi altında bulunuyor.



Silinmez (flash) bellekler yeni aygıtların başarım ve kapasitelerini artırmak açısından çok önemli. Intel eylül ayında yaptığı bir açıklamasında silinmez (flash) bellek üretim sürecini 65 nm’ye indireceğini duyurmuştu, ama 32 nm ve 20 nm’lik süreçlerin yol haritası ise belli değil. Bu tür ölçek küçültme hareketleri aygıtların çalışmasını kararsız duruma getirebiliyor.



FinFET Hücresi.Infineon’un silinmez (flash) bellek hücrelerini ölçeklendirme çabası bu teknolojinin en azından 2008 yılı sonuna kadar güncelliğini koruyacağını gösteriyor. Düşük üretim maliyetleri nedeniyle Flask (dar boyunlu şişe) üretim tekniği pazarı elinde bulundurmayı sürdürecek ve, küçültme ve ölçeklendirmenin sınırına ulaşıldıktan sonra yeni teknoloji ve süreçlerini keşfedilmesi gerekecek.



Infineon bu gelişmeler sayesinde 32 GB’lık belleklerin birkaç yıl içinde pazarda yer alacağını umuyor, elbette “üretim süreci sorunları çözülürse – buna taşbaskı (lithography) sorunları da dahil”.



Kuruluş 20 nm ölçeğine ulaşmak için “transistör için küçük bir kanatçık barındıran, özel bir 3 boyutlu yapı” tasarlamış. Özel yerleşim sayesinde istenmeyen etkiler son derece azaltılmış ve durağan elektrik yükü (electrostatic) denetimi günümüz yatay transistörlerine kıyasla oldukça artırılmış.



FinFET (Kanatçık Alan Etkili Transistör, Fin Field Effect Transistor) adlı Infineon aygıtı, silikon kanatçık ve kapı (gate) elektrodu arasında, veri taşıyan elektronları elektriksel olarak yalıtılmış bir nitrit katmanında hapsederek çalışıyor. Yalnızca 8 nm genişliğinde olan kanatçık, 20 nm’lik kapı (gate) elektrot devresinin yapımını olanaklı kılıyor.




Bir cevap yazın